SUSS 光刻/键合预对准机 MA/BA6详细介绍

SUSS 产品涵盖光刻、涂胶/显影、晶圆键合、光刻掩膜版清洗等诸多半导体、微加工相关领域。

在接近/接触式光刻、涂胶显影和键合设备方面，SUSS 具有诸多***的专利技术，是全球

的接近/接触式光刻机和晶圆键合机制造商之一。SUSS 的 MA/BA6 光刻/键合预对准机和

SB6e 型晶圆键合机是 SUSS 的***机型，在全球拥有很大的市场份额，在北美和欧洲的各大著名研究机构和高校中，均可见到其身影。

目前，SUSS 在中国国内用户几乎已经涵盖了全部与半导体、微加工、微电子相关的研究机构、工厂等，在同行业***中***。

关于 SUSS MA/BA6 光刻/ 键合预对准机：

SUSS MA/BA6 光刻/键合预对准机是德国 SUSS 的***。该机型经过多年的不断改进， 性能不断得到提高和优化，该机型的曝光系统、对准系统、控制系统和芯片找平系统等，拥有多项专利技术。该产品的用户遍布欧洲、北美、亚洲各类研发及生产类客户，是享誉世界的***产品。

1. SUSS 具有******的“消衍射”光学系统

SUSS 采用专利的“消衍射”光学系统，曝光光束呈一特定夹角投射到掩膜版上，能够有效消除紫外光在投射到亚微米线条时的次级衍射峰，此专利可以大大提高光刻机在制作 1um 及以下线宽图形时的极限分辨率和工艺成品率。使该光刻机能够稳定、高成品率地实现亚微米图形的光刻。

2. SUSS ***的芯片找平系统及对准台

不同于其他光刻机厂家的半球气悬式找平方式，SUSS 采用高精密的专利三点锁止全自动找平系统，有效地补偿芯片不同区域厚度差异带来的光刻效果劣化。并且，三点锁止方式可***漂移现象，同时可以***设定对准间隙；此专利技术能够确保光刻机长期稳定性和可靠性。

在对准过程中，SUSS 光刻机掩膜版位置始终保持不动，确保了的对准精度。

3. SUSS ***的 MO 曝光光学系统

普通光刻机的光强均匀性只能达到±5%左右；而且在同一机器上只能实现“高分辨率”或“大景深”一种曝光模式。SUSS 区别于其他厂家的曝光光学系统，采用专利的微镜 MO 消衍射光学系统。区别于以往的光刻机，装备 MO 光学系统的光刻机在更换汞灯时，无需做任何均匀性校正与调整，且在整个汞灯的使用周期内，也均无需对系统进行任何的均匀性校正与调整，6 英寸范围光强均匀性高达±2.5%；而且，MO 光学系统可在同一光学系统上可实现高分辨率光刻和大景深光刻两种模式，两种模式切换方便，切换时间小于 3 分钟，且都可以得到高质量的曝光效果。对于普通的光刻工艺，光刻分辨率为 0.7 微米；还可以进行大景深光刻工艺，20 微米曝光间距时光刻分辨率达到 2.5 微米（光刻胶厚度 1um）。

4. 光刻工艺效果计算机模拟仿真（选配）

SUSS MA/BA6 光刻机在 MO 光学系统下，可以通过外置专用的 GenISys 光刻工艺仿真模拟软件，来模拟不同工艺条件下的曝光效果。此技术为 SUSS 与 GenISys 公司联合开发，能够有效缩短掩膜版设计研发的周期，并大大提高产品研发效率和光刻工艺开发效率。此功能为SUSS ***技术。

5. 键合预对准功能：

SUSSMA/BA6 光刻机具有光刻和键合预对准双重功能。如果购置 SUSS MA/BA6 光刻机， 既可以实现高精度光刻，又可以实现键合预对准；且节省了单独购置键合对准机的经费，一举两得

6. 灵活多样的夹具

通过 SUSS 专门定制设计的夹具，可实现各种方片、小片等不规则芯片的高精度光刻。