| 品牌：SUSS | 型号：MJB4 | 产品别名：光刻机 |
| 用途：光刻微电路 | 适用行业：微电子,半导体,研究机构 | 产品用途：光刻微电路 |
| 是否跨境货源：是 |
德国SUSS光刻机MJB4
小尺寸基片的***研发解决方案
SUSS的MJB4是广受欢迎的手动光刻机MJB3的全新换代产品。操作方便，占地面积小，成为实验室研究和小批量生产的理想设备。作为经济型光刻解决方案，MJB4针对直径达100mm的小尺寸基片工艺确立了一套工业标准。MJB4配有高可靠和高精度的对准系统，同时具备亚微米量级的高分辨率图形转移能力，这些特点都使得MJB4的性能明显优于同类设备。
亮点
*高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米
*SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜，实现快速准确对准
*针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统
*可选配通用光学器件，在不同波长间进行快速切换
*可通过装配升级套件，实现紫外纳米压印光刻
MJB4系统可广泛用于MEMS和光电子，例如LED生产。它经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻。
详细: 对准 (顶面对准)
在光刻工艺中，只需对准器件晶圆同侧的结构（例如再布线层、微凸点等），用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。 根据衬底的特性，这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片、SUSS MicroTec 开发的DirectAlign? 直接对准技术实现。
我们的客户可以从中得到以下好处
? 掩模对准器极高的对准精度
? 清晰、强大的图像识别功能，即使在对比度不理想的情况下
详细: 曝光(软接触曝光)
掩模到晶圆片的曝光间隙越小，分辨率越高。在软接触模式下，晶圆片与掩模接触，并用真空固定在吸盘上。
详细: 曝光(光学) HR/LGO 曝光系统
The large gap optics (LGO) optics is optimized for thick resist processes with large exposure gaps and 3D lithography, offering a resolution down to 5μm. The high resolution optics (HR) is apt for contact and close proximity lithography with structures down to 3μm at 20μm exposure gap. For processes with high dose requirements on 150mm wafers the exceptionally high intensity of the W150 HR optics facilitates high throughput.
详细: 自动
SUSS掩模对准器配备了WEC(误差补偿)系统，允许以微米级精度达到基片和掩模之间的并行度。
选项: Exposure 实验室模拟软件
模拟光刻工艺
模拟光刻工艺无需反复试验就可优化调整工艺参数。 S?SS MicroTec公司与生产商 GenISys 销售的“实验室”光刻工艺多功能模拟软件为用户带来更强大的工艺控制。它提供集成设计和工艺开发所有必要的模拟功能，以及验证和优化功能。包括从曝光调整和掩模结构改进到光刻胶处理的所有工艺步骤。此外，***的3D模拟功能进一步优化模块的演示效果。
MO Exposure Optics 结合专为 S?SS 光学系统打造的实验室镜头模块，使实验室能够根据客户定向优化曝光滤板设计，从而改进结构精度。
亮点
? 完整模拟掩模对准器的光刻过程
? 可调节曝光参数（准直、光谱成分），特别是预先定义所有 S?SS 光学系统
? 快速灵活演示以及1 维 、2 维和 3 维定量分析
选项: Nanoimprint Lithography 纳米压印光刻
压印光刻是一种制造各种纳米到微米级结构的技术，低成本，可靠性高。
将一块印模放在基材上与感光材料接触，实现复制。胶填充压模的三维结构，然后在紫外光的作用下固化。图案、结构解析和模具等因素对该过程有很大的影响。
压印光刻能够与传统的半导体生产工艺兼容，在 DFB 激光器，高亮度 LED，晶圆级相机和微机电系统等组件的开发和生产中起到了非常关键的作用。
苏斯公司（S?SS MicroTec）基于手动光刻机所开发的压印光刻解决方案，能够处理各种材料及 200 mm 的基板。如果要求多道压印工序并行，则能够将基板和压模***对准。压印装置可便捷地加装在 S?SS 光刻机上。
苏斯公司根据工艺要求，在其光刻机上采用不同的压印技术
技术参数Technical Data
掩模和晶片/基板Mask and Wafer / Substrate | |
Wafer Size晶片大小 | 1 up to 100 mm / 4" (round) |
Max. Substrate Size基板尺寸 | 100 x 100 mm |
Min. Pieces 最小片 | 5 x 5 mm |
Wafer Thickness晶片厚度 | up to 4 mm |
Mask Size掩膜版尺寸 | standard 2" x 2" up to 5" x 5" (SEMI) |
Mask Thickness掩膜版厚度 | up to 4.8 mm / 190 mil |
曝光模式Exposure Modes | |
Contact: soft, hard, vacuum, soft vacuum接触: 软，硬，真空，软真空 | |
Vacuum contact adjustable to 200 mbar abs真空接触可调至200mbar abs | |
Gap exposure, adjustable gap 10–50 ?m:间隙曝光,可调节间隙10-50?m | |
Flood exposure, split exposure | |
Lamp control modes: constant power, constant intensity灯的控制方式: 恒功率，恒强度 | |
曝光光学Exposure Optics | |
Wavelength Range波长范围 | UV400: 350 – 450 nm (g, h, i-line) |
Exposure Source曝光光源 | CPC: Constant Power Controller for lamps |
Uniformity均匀度 | ≤ 3 % |
对准模式Alignment Methods | |
Top Side Alignment (TSA) Accuracy顶面对准 | <0.5 ?m (with SUSS recommended wafer targets) |
Transmitted Infrared Alignment (IR) Accuracy 红外对准 |
<5 ?m (2 ?m under special process conditions) |
Alignment Gap对准间隙 | 10 – 50 ?m |
对准台Alignment Stage | |
MA Movement Range移动范围 | X: ± 5 mm |
Mechanical Resolution 机械精度 | X, Y: 0.1 ?m |
顶面显微镜Topside Microscope (TSA) | |
Movement Range移动范围 | X: ± 40 mm |
设施Utilities | |
Vacuum真空 | <– 0.8 bar <200 hPa abs |
Compressed Air压缩空气 | 5.5 bar (81 psi) |
Nitrogen氮气 | > 1.5 bar (22 psi) |
电源要求Power Requirements | |
Power Voltage功率电压 | AC 230 V ± 10 % |
Frequency频率 | 50 – 60 Hz |
物理尺寸Physical Dimensions | |
Width x Depth宽*长 | 605 x 810 mm = 0.5 m2 |
Height高 | 660 mm |
Weight 重量 | up to 130 kg (290 kg with antivibration table) |
Operator Safety and Ergonomics操作人员安全和人体工程学 | CE-mark, others on request |
