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Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统

Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统

PhantomIII系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛)

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  • 地   址:
    广东 深圳 宝安区 宝安区沙井共和第四工业区新和大道昊海弘工业园A6栋7楼
品牌:美国TRION型号:Phantom III产品别名:离子刻蚀机
适用行业:微电子,半导体,研究机构

Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统详细介绍

美国Trion Technology
反应式离子刻蚀(RIE/ICP)系统及沉积(PECVD)系统

Trion始于一九八九年的等离子刻蚀与沉积系统制造商,Trion为化合物半导体、MEMS(微机电系统)、光电器件以及其他半导体市场提供多种设备。我们的产品在业内以系统占地面积最小、成本低而著称,且设备及工艺的可靠性和稳定性久经考验。从整套的批量生产用设备,到简单的实验室研发用系统,尽在Trion。 

Trion提供升级及回收方案给现有Matrix客户。


实验室/研发/芯片失效分析用设备:

刻蚀

Phantom III反应离子蚀刻(RIE)系统适用于单个基片、碎片或带承片盘的基片300mm尺寸,为实验室和试制线生产提供进的等离子蚀刻能力。系统有多达七种工艺气体可以用于蚀刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化学刻蚀的薄膜或基片(如碳、环氧树脂、石墨、铟、钼、氮氧化物、聚酰亚胺、石英、硅、氧化物、氮化物、钽、氮化钽、氮化钛、钨以及钨钛)


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